반도체 고순도-가스 공기 분리 장치

반도체 고순도-가스 공기 분리 장치

반도체 칩 제조에서 고순도 질소,{0}}아르곤, 산소는 포토리소그래피, 에칭, 증착, 패키징 등 핵심 공정에서 '보이지 않는 원료'입니다. 순도는 칩 수율과 성능을 직접적으로 결정합니다. 반도체 산업을 위해 특별히 맞춤 제작된 이 반도체 고순도 가스 공기 분리 장치는 "심층 정화 + 초-청정 제어 + 안정적인 공급"이라는 3중 핵심 기능을 활용하여 순도 99.99999%(7N) 이상, 불순물 수준 0.1ppb 이하의 고순도 가스를 생산하며, 12인치 웨이퍼 및 고급 공정의 생산 요구 사항을 완전히 충족합니다.
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설명

기술적인 매개 변수

핵심기술


초-청정 전처리:"3-단계 여과 + 이중 흡착 + 촉매 탈산소" – ULPA 필터와 고온{3}}분자체는 물(노점 -90도 이하)과 CO2(0.01ppm 이하)를 제거하고, 팔라듐 촉매는 산소를 0.1ppm 이하로 제거하여 증류의 기반을 마련합니다.
 

극저온 증류 정제:"멀티-타워 캐스케이드 + 고{2}}효율 패킹" – 메인 타워는 5N 순도로 초기 분리를 위해 316L 골판지 패킹을 사용합니다. 질소/아르곤 정제탑을 추가하여 최종 질소 순도 7N, 아르곤 순도 7.5N을 달성하고, 미량의 불순물(메탄 0.05ppb 이하)을 제거합니다.

 

매우-깨끗한-후처리:2차 오염 방지를 위한 전용 정제 – PTFE 필터는 0.01μm 이상의 필터 입자, 이온 교환 컬럼은 금속 이온을 감소시키고 활성탄 캐니스터는 VOC를 0.05ppb 이하로 제어합니다.
 

안정적인 배송 관리:고정밀-폐쇄-루프 시스템 – 반도체-등급 MFC, 316L EP-등급 배관(Ra 0.2μm 이하), 완전 자동화 용접(적격률 100%), SEMI F30을 준수합니다.

 

Semiconductor high-purity gas air separation unit
작동 원리
 
 
 

다단계 복합 전처리 원리

"여과+흡착+촉매"의 3단계-연계: ULPA 필터와 고온{3}}분자체는 물(이슬점 -90도 이하)과 CO2(0.01ppm 이하)를 제거하고, 팔라듐 촉매는 산소를 0.1ppm 이하까지 제거하여 고순도의 기반을 마련합니다.

 
 

심-냉각 증류 및 분별 분리 원리

산소, 질소 및 아르곤 간의 끓는점 차이를 활용하여 정제를 위해 여러 컬럼을 직렬로 사용합니다. 316L 패킹이 있는 메인 컬럼은 5N까지 초기 분리를 달성합니다. 질소/아르곤 정제 컬럼(-196도)은 미량의 불순물을 제거하여 궁극적으로 질소 농도 7N, 아르곤 농도 7.5N(메탄 0.05ppb 이하)을 달성합니다.

 
 

Ultra-Clean 후처리-처리 오염 방지 원리

독점 정화 기술로 2차 오염을 방지합니다. PTFE 필터, 이온 교환 컬럼은 금속 이온(0.01ppb 이하)을 감소시키고 활성탄 캐니스터는 VOC를 0.05ppb 이하로 제어하여 가스 청결을 보장합니다.

 
 

고정밀 폐쇄형-루프 운반 제어 원리

"고-정밀 제어 + 클린 배관": 반도체-등급 MFC 및 316L EP-등급 배관(Ra 0.2μm 이하)을 완전 자동 용접하여 안정적인 이송과 변함없는 순도를 보장합니다.

 


 

 

자주 묻는 질문

 

 


 

1. 이 장비에서 생성된 가스 순도를 다양한 반도체 공정의 요구 사항에 맞게 조정할 수 있습니까?

당사는 특정 공정 요구 사항에 따라 순도 솔루션을 맞춤화할 수 있습니다. 정제탑 공정과 후처리 모듈을 조정함으로써-14nm 공정 요구 사항을 충족하는 안정적인 출력을 얻을 수 있습니다. 아래 공정을 포함한 고급 공정용 고순도 가스는 완전한 장비 교체 없이 향후 공정 업그레이드에 맞게 최적화될 수 있습니다.
 

2. 장비 운전 중 2차 가스 오염을 방지하려면 어떻게 해야 합니까? 반도체 생산에는 매우 높은 청결도 수준이 요구됩니다.

이는 두 가지 방식으로 보장됩니다. 첫째, 전용 초-청정 후처리- 시스템이 한외여과 및 이온 교환과 같은 공정을 통해 작은 입자와 금속 이온을 제거합니다. 둘째, 딜리버리 공정에서는 특수배관자재와 최적화된 용접기법을 활용하여 배관벽에 대한 불순물 흡착을 최소화하여 전체 공정에서 2차 가스오염을 방지합니다.
 

3. 장비 작동 중 가스 흐름과 압력 변동이 반도체 공정에 영향을 미칠 수 있습니다. 안정적인 매개변수를 어떻게 보장할 수 있나요?

실시간 매개변수 조정 및 최적화된 배관 설계를 위한 전문 유량 컨트롤러와 결합된 고정밀-폐쇄-제어 시스템은 유량 및 압력 변동을 효과적으로 제어하여 반도체 공정의 정밀 요구사항을 충족하는 안정적인 가스 공급 매개변수를 보장합니다.
 

4. 장비 유지관리가 복잡한가요? 유지보수가 반도체 생산라인의 지속적인 가동에 영향을 미치나요?

단순화된 유지 관리 프로세스를 통해 온라인 모니터링을 통해 핵심 구성 요소 유지 관리에 대한 조기 경고가 가능합니다. 이 시스템은 '오프라인 조립+온라인 연결'도 지원한다. 포괄적인 유지 관리 모델을 사용하면 중요한 유지 관리에 짧은 가동 중지 시간만 필요하며, 생산 라인 중단을 최소화하기 위한 임시 가스 공급 계획이 개발됩니다.

 

5. 향후 반도체 팹이 증설할 경우 기존 장비도 증설할 수 있나요? 확장이 어렵나요?

장비에는-확장 포트가 내장되어 있습니다. 용량 확장에는 핵심 증류 시스템을 해체하지 않고 해당 정제 모듈과 운반 구성요소만 추가하면 됩니다. 확장 전에 상세한 프로세스 계산과 사전 제작이 수행되므로 현장 건설 기간이 짧고 복잡성이 최소화되어 용량 증가 요구에 신속하게 적응할 수 있습니다.

 

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